9 варіант

Если Вам подходит данная работа, то...

1.3. У провіднику з площею поперечного перерізу 1 мм2 та довжиною (1000 +50*9=1450) м виконаному з заданого металлу Fe, при температурі (300 +20*9=480) K перебігає струм під дією напруги 10 В. Визначити :
а ) швидкість дрейфу електронів ;
б) середню теплову швидкість електронів :
в) опір провідника при вказаній температурі.
2.1. У зразку виконаному з заданого металу Fe, при температурі 300 К деякий енергетичний рівень розташований на 0,1∙∛9=0,21 еВ вище рівня Фермі. Визначити:
а ) концентрацію вільних електронів в металі;
б) значення енергії Фермі та зазначеного енергетичного рівня;
в) ймовірність заповнення електронами зазначеного енергетичного рівня;
г) ймовірність заповнення електронами зазначеного енергетичного рівня при збільшенні температури до (300 +20*9=480) К;
д) накреслити в масштабі зонну діаграму металу, на якій вказати чисельні значення рівня Фермі та зазначеного енергетичного рівня.
3.2. Є власний напівпровідник GaP при заданій температурі Т=400 К. До напівпровідника прикладено електричне поле напруженістю 100 В/м. Визначити:
а) питомий опір напівпровідника;
б) положення рівня Фермі;
в) накреслити в масштабі зонну діаграму напівпровідника, на якій вказати чисельні значення рівнів E_V,E_C,E_F.
г) густину струму через напівпровідник.
4.3. Прямокутна плівка напівпровідника n-типу розмірами 20 мм х 10 мм з рухливістю електронів 0,1 м2/(В•с) розташована в площині, перпендикулярній магнітному полю Землі з індукцією 44∙∛9=91,5 мТл. Виміряна на ширині ЕРС Холла становить 1/∛9=0,48 мВ. Визначити:
а ) різницю потенціалів, прикладену вздовж довжини плівки;
б) дрейфову швидкість електронів.
5.1. Існує p-n-перехід з концентрацією донорної домішки 1023 мм-3 і концентрацією акцепторної домішки 1022 мм-3. Для заданих напівпровідника GaP і робочої температури Т=400 К визначити:
а) контактну різницю потенціалів;
б) напругу, за якої густина прямого струму буде в 1000*9=9000 разів більше густини зворотного струму насичення.
6.2. У різкому p-n-переході перетином 0,01 cм2 та з відносною діелектричною проникністю 13 при заданій за варіантом 9 температурі 400 K концентрація донорної домішки дорівнює 1023 мм-3, а концентрація акцепторної домішки дорівнює 1022 мм-3. При напругах 0 і -5 В знайти:
а ) ширину p-n-перехода;
б) бар'єрну ємність p-n-перехода.